首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
文章检索
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
检索词:
出版年份:
从
到
被引次数:
从
到
他引次数:
从
到
提示:输入*表示无穷大
全文获取类型
收费全文
1篇
免费
0篇
专业分类
金属工艺
1篇
出版年
2012年
1篇
排序方式:
出版年(降序)
出版年(升序)
被引次数(降序)
被引次数(升序)
更新时间(降序)
更新时间(升序)
杂志中文名(升序)
杂志中文名(降序)
杂志英文名(升序)
杂志英文名(降序)
作者中文名(升序)
作者中文名(降序)
作者英文名(升序)
作者英文名(降序)
相关性
共有1条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
高C轴取向纳米ZnO 薄膜的制备工艺研究
徐芸芸
张韬
陈磊
《表面技术》
2012,(5):11-13,29
采用射频磁控溅射工艺,用高纯ZnO粉末制作靶材,在普通玻璃基片上制备高度C轴取向且残余应力低的纳米ZnO薄膜,并分析其退火前后的组织和微结构。结果表明:在试验范围内,溅射态ZnO薄膜的组织都均匀、致密,晶粒尺寸小于50nm,具有高度的C轴取向,但膜内有残余拉应力,混晶取向且结晶性差的ZnO薄膜的残余应力大;提高氧分压有利于薄膜C轴取向生长和提高晶化程度;在500℃保温2h退火,薄膜内残余应力显著降低,晶化程度提高,晶粒尺寸略有增加。
相似文献
1
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号